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TLV2369IDGKT

更新时间： 2024-02-06 16:55:21
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管运算放大器
页数 文件大小 规格书
28页 1093K
描述
适用于成本敏感型应用的双路、800nA、1.8V、RRIO 零交叉失真运算放大器 | DGK | 8 | -40 to 125

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TLV2369IDGKT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSSOP,
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.74放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.00011 µA
最小共模抑制比：80 dB标称共模抑制比：110 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：2000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：3 mm
低-偏置：YES低-失调：NO
微功率：YES湿度敏感等级：2
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TR功率：NO
可编程功率：NO座面最大高度：1.07 mm
标称压摆率：0.005 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：0.0026 mA供电电压上限：7 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL标称均一增益带宽：12 kHz
最小电压增益：10000宽带：NO
宽度：3 mmBase Number Matches：1

TLV2369IDGKT 数据手册

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TLV369, TLV2369  
ZHCSF19 –MAY 2016  
www.ti.com.cn  
6 Specifications  
6.1 Absolute Maximum Ratings  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)(1)  
MIN  
0
MAX  
+7  
UNIT  
V
Supply, VS = (V+) – (V–)  
Signal input pin(2)  
Signal input pin(2)  
Output short-circuit(3)  
Voltage  
(V–) – 0.5  
–10  
(V+) + 0.5  
10  
V
mA  
mA  
°C  
Current  
Continuous  
Operating, TA  
–40  
–65  
125  
150  
150  
Temperature  
Junction, TJ  
Storage, Tstg  
°C  
°C  
(1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings  
only, which do not imply functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended  
Operating Conditions. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
(2) Input pins are diode-clamped to the power-supply rails. Input signals that can swing more than 0.5 V beyond the supply rails must be  
current limited to 10 mA or less.  
(3) Short-circuit to VS / 2, one amplifier per package.  
6.2 ESD Ratings  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).  
VALUE  
±4000  
±1500  
UNIT  
Human body model (HBM), per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)  
Charged device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101(2)  
V(ESD)  
Electrostatic discharge  
V
(1) JEDEC document JEP155 states that 500-V HBM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.  
(2) JEDEC document JEP157 states that 250-V CDM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.  
6.3 Recommended Operating Conditions  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted).  
MIN  
1.8  
NOM  
MAX  
5.5  
UNIT  
VS  
Supply voltage  
V
Specified temperature  
–40  
85  
°C  
4
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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TLV2369IDR TI 适用于成本敏感型应用的双路、800nA、1.8V、RRIO 零交叉失真运算放大器 | D

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