5秒后页面跳转
TLV2369IDGKT PDF预览

TLV2369IDGKT

更新时间: 2024-01-08 06:53:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管运算放大器
页数 文件大小 规格书
28页 1093K
描述
适用于成本敏感型应用的双路、800nA、1.8V、RRIO 零交叉失真运算放大器 | DGK | 8 | -40 to 125

TLV2369IDGKT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TSSOP,
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.74放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB):0.00011 µA
最小共模抑制比:80 dB标称共模抑制比:110 dB
频率补偿:YES最大输入失调电压:2000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:3 mm
低-偏置:YES低-失调:NO
微功率:YES湿度敏感等级:2
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法:TR功率:NO
可编程功率:NO座面最大高度:1.07 mm
标称压摆率:0.005 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:0.0026 mA供电电压上限:7 V
表面贴装:YES温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL标称均一增益带宽:12 kHz
最小电压增益:10000宽带:NO
宽度:3 mmBase Number Matches:1

TLV2369IDGKT 数据手册

 浏览型号TLV2369IDGKT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TLV2369IDGKT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TLV2369IDGKT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TLV2369IDGKT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TLV2369IDGKT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TLV2369IDGKT的Datasheet PDF文件第8页 
TLV369, TLV2369  
www.ti.com.cn  
ZHCSF19 MAY 2016  
6.4 Thermal Information: TLV369  
TLV369  
THERMAL METRIC(1)  
DCK (SC70)  
5 PINS  
293.3  
95.2  
UNIT  
RθJA  
Junction-to-ambient thermal resistance  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top)  
RθJB  
Junction-to-case (top) thermal resistance  
Junction-to-board thermal resistance  
83.4  
ψJT  
Junction-to-top characterization parameter  
Junction-to-board characterization parameter  
Junction-to-case (bottom) thermal resistance  
2.9  
ψJB  
82.4  
RθJC(bot)  
n/a  
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application  
report, SPRA953.  
6.5 Thermal Information: TLV2369  
TLV2369  
THERMAL METRIC(1)  
D (SOIC)  
8 PINS  
121.5  
66.3  
DGK (VSSOP)  
8 PINS  
168.5  
58.1  
UNIT  
RθJA  
Junction-to-ambient thermal resistance  
Junction-to-case (top) thermal resistance  
Junction-to-board thermal resistance  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top)  
RθJB  
62.5  
88.9  
ψJT  
Junction-to-top characterization parameter  
Junction-to-board characterization parameter  
Junction-to-case (bottom) thermal resistance  
22.8  
9.3  
ψJB  
61.9  
87.6  
RθJC(bot)  
n/a  
n/a  
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application  
report, SPRA953.  
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
5

TLV2369IDGKT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TLV2369IDGKR TI

类似代替

适用于成本敏感型应用的双路、800nA、1.8V、RRIO 零交叉失真运算放大器 | DG

与TLV2369IDGKT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TLV2369IDR TI

获取价格

适用于成本敏感型应用的双路、800nA、1.8V、RRIO 零交叉失真运算放大器 | D
TLV2370 TI

获取价格

FAMILY OF 550- UA/CH 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370_05 TI

获取价格

FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370ID TI

获取价格

FAMILY OF 550- UA/CH 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370IDBV TI

获取价格

FAMILY OF 550- UA/CH 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370IDBVR TI

获取价格

FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370IDBVRG4 TI

获取价格

FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370IDBVT TI

获取价格

FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370IDBVTG4 TI

获取价格

FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
TLV2370IDG4 TI

获取价格

FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN