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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, SO-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.002 µA | 标称共模抑制比： | 60 dB |
| 最大输入失调电压： | 11000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 标称压摆率： | 0.4 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 供电电压上限： | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 525 kHz |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TLV2332IP | TI |
获取价格 |
LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLV2332IP | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 11000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDIP8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP- |
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| TLV2332IPW | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 11000uV OFFSET-MAX, 0.3MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8 |
|
| TLV2332IPW | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 11000uV OFFSET-MAX, 0.3MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8 |
|
| TLV2332IPWLE | TI |
获取价格 |
LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLV2332IPWR | TI |
获取价格 |
Dual Low-Voltage Low-Power Operational Amplifier 8-TSSOP -40 to 85 |
|
| TLV2332IPWRG4 | TI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 11000uV OFFSET-MAX, 0.3MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8 |
|
| TLV2332Y | TI |
获取价格 |
LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TLV2333 | TI |
获取价格 |
适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 |
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| TLV2333IDGKR | TI |
获取价格 |
适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 | DG |
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