Datasheet > TLV2333IDGKR

TLV2333IDGKR

更新时间： 2024-09-27 11:11:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器光电二极管运算放大器
页数	文件大小	规格书
39页	2014K
描述
适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| DGK \| 8 \| -40 to 125

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TLV2333IDGKR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.74
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00013 µA
最小共模抑制比：	106 dB	标称共模抑制比：	130 dB
最大输入失调电压：	15 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	3 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
座面最大高度：	1.1 mm	标称压摆率：	0.16 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	0.056 mA
供电电压上限：	7 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
标称均一增益带宽：	350 kHz	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

TLV2333IDGKR 数据手册

Support &

Community

Product

Folder

Order

Now

Tools &

Software

Technical

Documents

TLV333, TLV2333, TLV4333

ZHCSEE6 –DECEMBER 2015

TLVx333 2μV V_OS、0.02μV/°C、17μA、CMOS 运算放大器

零漂移系列

1 特性

3 说明

•

非常出色的性价比

低失调电压：2μV

TLVx333 系列 CMOS 运算放大器不但具备精密的性

能，而且价格极具竞争力。这些器件属于采用专有自动

校准技术的零漂移系列放大器，在整个时间和温度范围

内的失调电压非常低（最大 15μV）且几乎零漂移，并

且静态电流只有 28μA。TLVx333 系列具有轨至轨输

入和输出以及几乎不变的 1/f 噪声特性，因此，这款放

大器是众多应用的理想之选，而且更易于系统设计。

这些器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V

(±2.75V) 的低压状态下工作。

•

零点漂移：0.02μV/°C

低噪声：1.1 μV_PP，0.1Hz 至 10Hz

静态电流：17μA

电源电压：1.8V 至 5.5V

轨到轨输入/输出

内部电磁干扰 (EMI) 滤波功能

微型封装：SOT23、SC70

TLV333（单通道版本）提供 SC70-5、SOT23-5 和

SOIC-8 三种封装。TLV2333（双通道版本）提供

VSSOP-8 和 SOIC-8 两种封装。TLV4333 提供标准

SOIC-14 和 TSSOP-14 两种封装。所有器件版本的额

定工作温度范围均为 -40°C 至 +125°C。

2 应用

•

电池供电仪器

温度测量

传感器应用

电子称

器件信息⁽¹⁾

医疗仪表

手持测试设备

电流检测

器件型号

封装

SOIC (8)

封装尺寸（标称值）

4.90mm x 3.91mm

2.90mm × 1.60mm

2.00mm × 1.25mm

4.90mm x 3.91mm

3.00mm × 3.00mm

8.65mm × 3.91mm

TLV333

SOT-23 (5)

SC70 (5)

SOIC (8)

TLV2333

TLV4333

VSSOP (8)

SOIC (14)

薄型小外形尺寸封装

(TSSOP) (14)

5.00mm x 4.40mm

0.1Hz 至 10Hz 噪声

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。

1 s/div

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SBOS751

12 3 4 5 6 7...39

中文翻译

下载PDF

TLV2333IDGKR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TLV2333IDGKT	TI	完全替代	适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| DG

与TLV2333IDGKR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TLV2333IDGKT	TI	获取价格	适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| DG
TLV2333IDR	TI	获取价格	适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、RRIO、CMOS 运算放大器 \| D
TLV2334	TI	获取价格	LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TLV2334ID	TI	获取价格	LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TLV2334ID	ROCHESTER	获取价格	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14
TLV2334IDR	TI	获取价格	LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TLV2334IDR	ROCHESTER	获取价格	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14
TLV2334IDRG4	TI	获取价格	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SO-14
TLV2334IN	TI	获取价格	LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TLV2334IN	ROCHESTER	获取价格	QUAD OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 0.525MHz BAND WIDTH, PDIP14, PLASTIC, DIP-14

与TLV2333IDGKR相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

9
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

12
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

19

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TLV2333IDGKR

TLV2333IDGKR 技术参数

TLV2333IDGKR 数据手册

TLV2333IDGKR 替代型号

与TLV2333IDGKR相关器件

与TLV2333IDGKR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TLV2333IDGKR

TLV2333IDGKR 技术参数

TLV2333IDGKR 数据手册

TLV2333IDGKR 替代型号

与TLV2333IDGKR相关器件

与TLV2333IDGKR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？