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TLV1805DBVR

更新时间： 2024-11-28 11:13:15
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德州仪器 - TI 比较器
页数 文件大小 规格书
35页 1408K
描述
具有推挽输出和关断模式的高电压比较器 | DBV | 6 | -40 to 125

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TLV1805  
ZHCSJ63 –DECEMBER 2018  
具有关断功能的 TLV1805 40V、轨至轨输入、推挽输出、高电压比较器  
1 特性  
3 说明  
1
•
3.3V 至 40V 电源  
TLV1805 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输  
出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响  
应组合特性于一体。所有这些 特性 使该比较器非常适  
合 需要 在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用，例  
如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压  
保护电路，其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道  
MOSFET 开关的栅极。  
•
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低静态电流：135µA  
高峰值电流推挽输出  
具有相位反转保护功能的轨至轨输入  
内置迟滞：14mV  
250ns 传播延迟  
低输入失调电压：500µV  
关断后具有高阻态输出  
上电复位 (POR)  
器件信息(1)  
器件型号  
TLV1805  
封装  
SOT-23 (6)  
封装尺寸（标称值）  
SOT-23-6 封装  
1.60mm × 2.90mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
2 应用  
•
•
•
•
•
•
反向电流保护智能二极管控制器  
过压、欠压和过流保护  
OR-ing MOSFET 控制器  
MOSFET 栅极驱动器  
高电压振荡器  
针对以下应用的系统监控：  
–
–
–
–
信息娱乐系统和仪表组  
PLC  
服务器  
电机保护和控制  
采用 P 沟道 MOSFET 的反向电流和过压保护  
采用 P 沟道 MOSFET 的过压保护  
P-Channel MOSFETs  
P-Channel MOSFET  
iBAT  
D
S
S
D
System  
Power  
S
D
System  
Power  
+
Q1  
Q2  
RPU  
ZD1  
V
BAT  
V
BAT  
-
SD  
+
+
TLV1805  
SD  
TLV1805  
RPD  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SNOSD50  
 
 
 
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