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TLV1805DBVR

更新时间： 2024-09-17 11:13:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		比较器
页数	文件大小	规格书
35页	1408K
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具有推挽输出和关断模式的高电压比较器 \| DBV \| 6 \| -40 to 125

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TLV1805

ZHCSJ63 –DECEMBER 2018

具有关断功能的 TLV1805 40V、轨至轨输入、推挽输出、高电压比较器

1 特性

3 说明

•

3.3V 至 40V 电源

TLV1805 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输

出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响

应组合特性于一体。所有这些特性使该比较器非常适

合需要在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用，例

如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压

保护电路，其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道

MOSFET 开关的栅极。

•

低静态电流：135µA

高峰值电流推挽输出

具有相位反转保护功能的轨至轨输入

内置迟滞：14mV

250ns 传播延迟

低输入失调电压：500µV

关断后具有高阻态输出

上电复位 (POR)

器件信息⁽¹⁾

器件型号

TLV1805

封装

SOT-23 (6)

封装尺寸（标称值）

SOT-23-6 封装

1.60mm × 2.90mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。

2 应用

•

反向电流保护智能二极管控制器

过压、欠压和过流保护

OR-ing MOSFET 控制器

MOSFET 栅极驱动器

高电压振荡器

针对以下应用的系统监控：

–

信息娱乐系统和仪表组

PLC

服务器

电机保护和控制

采用 P 沟道 MOSFET 的反向电流和过压保护

采用 P 沟道 MOSFET 的过压保护

P-Channel MOSFETs

P-Channel MOSFET

i_BAT

System

Power

System

Power

RPU

ZD1

BAT

TLV1805

RPD

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

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English Data Sheet: SNOSD50

12 3 4 5 6 7...35

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