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TLV1805QDBVRQ1

更新时间： 2024-09-17 11:13:31

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德州仪器 - TI		比较器
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36页	1932K
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具有推挽输出和关断模式的汽车级高电压比较器 \| DBV \| 6 \| -40 to 125

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TLV1805-Q1

ZHCSJD8B –AUGUST 2018–REVISED JANUARY 2020

具有关断功能的 TLV1805-Q1 40V、轨至轨输入、推挽输出、高电压汽车

比较器

1 特性

3 说明

•

具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：

TLV1805-Q1 高电压比较器集独特的宽电源范围、推

挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输

出响应组合特性于一体。所有这些特性使该比较器非

常适合需要在正电压轨或负电压轨上进行检测的应

用，例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测

和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或

N 沟道 MOSFET 开关的栅极。

–

器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 的环境工作

温度范围

–

器件 HBM ESD 分类等级 2

器件 CDM ESD 分类等级 C6

•

电源电压范围：3.3V 至 40V

低静态电流：135µA

高峰值电流推挽输出

具有相位反转保护功能的轨至轨输入

内置迟滞：14mV

高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色，它

具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一

电源轨的优势。对于需要快速将 MOSFET 栅极驱动

至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源

或与其断开的应用而言，这特别有用。其他特性（如

低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断）使

TLV1805-Q1 能够灵活地处理各种应用的要求。上电

复位可防止加电时产生错误输出。

250ns 传播延迟

低输入失调电压：500µV

关断后具有高阻态输出

上电复位 (POR)

SOT-23-6 封装

2 应用

TLV1805-Q1 采用 6 引脚 SOT-23 封装并符合 AEC-

Q100 标准，具有 –40°C 至 +125°C 的汽车 1 级温度

范围。

•

反向电流保护智能二极管控制器

过压、欠压和过流检测

OR-ing MOSFET 控制器

MOSFET 栅极驱动器

高电压振荡器

器件信息⁽¹⁾

器件型号

封装

SOT-23 (6)

封装尺寸（标称值）

TLV1805-Q1

1.60mm × 2.90mm

针对以下应用的系统监控：

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。

–

汽车信息娱乐系统和仪表组

HEV/EV 和动力总成

采用 P 沟道 MOSFET 的反向电流和过压保护

采用 N 沟道 MOSFET 的反向电流保护

P-Channel MOSFETs

Clock

Source

Charge

Pump

i_BAT

System

Power

TLV1805-Q1

N-Channel MOSFET

i_BAT

System

Power

BAT

V_BAT

TLV1805-Q1

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSD52

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