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TLP291(SE

更新时间： 2024-11-21 18:15:47

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东芝 - TOSHIBA		输出元件光电
页数	文件大小	规格书
10页	324K
描述
Transistor Output Devices

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TLP291(SE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP-4	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.54
其他特性：	UL RECOGNIZED, VDE APPROVED	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	80 V
配置：	SINGLE	标称电流传输比：	50%
最大暗电源：	80 nA	最大正向电流：	0.05 A
最大绝缘电压：	3750 V	元件数量：	1
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-55 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER	Base Number Matches：	1

TLP291(SE 数据手册

TLP291(SE

TOSHIBA PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR

TLP291(SE

Power Supplies

Unit: mm

Programmable Controllers

Hybrid ICs

TLP291(SE consists of photo transistor optically coupled to a gallium

arsenide infrared emitting diode.

TLP291(SE is housed in the SO4 package, very small and thin coupler.

Since TLP291(SE is guaranteed wide operating temperature (Ta=-55 to

110 ˚C) and high isolation voltage (3750Vrms), it’s suitable for high-density

surface mounting applications such as small switching power supplies and

programmable controllers.

 Collector-Emitter Voltage : 80 V (min)

 Current Transfer Ratio

: 50% (min)

TOSHIBA

11-3C1

Rank GB

: 100% (min)

Weight: 0.05 g (typ.)

 Isolation Voltage

: 3750 Vrms (min)

 Operation temperature: -55 to 110 ˚C

Pin Configuration

 UL recognized

 cUL approved

: UL1577, File No. E67349

: CSA Component Acceptance Service No.5A,

File No. E67349

 SEMKO conformity

 BSI conformity

: EN 60065: 2002,

TLP291

EN 60950-1: 2001, EN 60335-1: 2002,

: BS EN 60065: 2002,

BS EN 60950-1: 2006

 VDE conformity: EN 60747-5-5

1:ANODE

2:CATHODE

3:EMITTER

4:COLLECTOR

Construction Mechanical Rating

Creepage distance: 5.0mm(min)

Clearance: 5.0mm(min)

Insulation thickness: 0.4mm(min)

2013-05-27

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