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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-114 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 8.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIXP549 | TI |
获取价格 |
100A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
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| T-IXSD10N120A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD10N60 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD10N60A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD15N120A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD24N60 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD24N60A | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD25N100 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD25N100A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| T-IXSD25N120A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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