Datasheet > 电信电路 > 电信保护电路> TISP61521DR-S

TISP61521DR-S

更新时间： 2024-02-12 02:29:05

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伯恩斯 - BOURNS		电信集成电路电信电路电信保护电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	199K
描述
DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

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TISP61521DR-S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	表面贴装：	YES
电信集成电路类型：	SURGE PROTECTION CIRCUIT	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.905 mm	Base Number Matches：	1

TISP61521DR-S 数据手册

TISP61521 SLIC Protector

Thermal Characteristics

Parameter

Test Conditions

T = 25 °C, EIA/JESD51-3 PCB, EIA/JESD51-

Min

Typ

Max

Unit

R_θJAJunction to free air thermal resistance

170

°C/W

2 environment, P

= 1.7 W

TOT

Parameter Measurement Information

Quadrant I

I_FSP(= | _TSP|)

Forward

Conduction

Characteristic

I_FSM(= |I_TSM|)

I_F

V_F

V_GK(BO)

V_GG

V_D

-v

I_D

I_(BO)

I_H

I_S

V_T

V_S

V_(BO)

I_T

I_TSM

Quadrant III

I_TSP

Switching

Characteristic

-i

PM6XAAA

Figure 1. Voltage-Current Characteristic

UnlessOtherwise Noted,All Voltagesare Referencedto the Anode

APRIL 2001 REVISED FEBRUARY 2005

Specifications are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their specific applications.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TISP61521D-S	BOURNS	DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS	获取价格
TISP61CAP3	POINN	PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTOR	获取价格
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