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Datasheet > 电信电路 > 电信保护电路> TISP61521DR-S
TISP61521DR-S PDF预览

TISP61521DR-S

更新时间： 2024-02-08 23:28:32
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 电信集成电路电信电路电信保护电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 199K
描述
DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

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TISP61521DR-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.25Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm表面贴装：YES
电信集成电路类型：SURGE PROTECTION CIRCUIT端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.905 mmBase Number Matches：1

TISP61521DR-S 数据手册

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TISP61521 SLIC Protector  
Recommended Operating Conditions  
Component  
Min  
100  
25  
Typ  
Max  
Unit  
nF  
C1  
Gate decoupling capacitor  
220  
series resistor for GR-1089-CORE, 2/10, 10/360 and 10/1000 first-level surge survival  
Ω
series resistor for GR-1089-CORE, 2/10, 10/360 and 10/1000 first-level and 2/10 second-level  
surge survival  
40  
Ω
series resistor for K.20, K.21 and K.45 coordination with a 400 V primary protector  
series resistor for K.44 4 kV 10/700 surge survival  
10  
60  
20  
0
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
series resistor for FCC Part 68 Type A 10/160 and 10/560 surge survival  
series resistor for FCC Part 68 Type B 9/720 surge survival  
series resistor for VDE 0433 2 kV 10/700 surge survival  
R
S
10  
0
series resistor for VDE 0878 2 kV 1.2/50 surge survival  
series resistor for IEC 6100-4-5 4 kV, 10/700, class 5, long distance balanced circuits surge  
survival with a 400 V primary protector  
10  
0
Ω
Ω
series resistor for IEC 6100-4-5 1.2/50-8/20combination generator, classes 0 to 5 (500 V to  
4 kV maximum), short distance balanced circuits surge survival.  
Electrical Characteristics, T = 25 °C (Unless Otherwise Noted)  
J
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
-5  
Unit  
µA  
T = 25 °C  
J
I
Off-state current  
V
= V  
, V = 0  
DRM GK  
D
D
T = 85 °C  
-50  
µA  
J
V
= -48 V, C = 220 nF  
G
GG  
Gate-cathode impulse 10/700, I = -30 A, R = 10 Ω  
7
TM  
S
V
V
GK(BO)  
breakover voltage  
1.2/50, I = -30 A, R = 10 Ω  
10  
25  
TM  
S
2/10, I = -38 A, R = 62 Ω,  
TM  
S
V
Forward voltage  
I
= 5 A, t = 500 µs  
2
V
V
F
F
w
10/700, I = 30 A, R = 10 Ω  
5
7
F
S
Peak forward recovery  
voltage  
V
1.2/50, I = 30 A, R = 10 Ω  
F S  
2/10, I = 38 A, R = 62 Ω,  
FRM  
12  
F
S
I
Holding current  
I
= -1 A, di/dt = 1A/ms, V = -100 V  
GG  
-150  
mA  
µA  
H
T
T = 25 °C  
-5  
J
I
Gate reverse current  
V
= V = V  
, V = 0  
GKRM KA  
GKS  
GG  
GK  
T = 85 °C  
-50  
3.0  
µA  
J
I
Gate trigger current  
I
= -3 A, t  
≥ 20 µs, V = -100 V  
mA  
GT  
T
p(g)  
p(g)  
GG  
Gate-cathode trigger  
voltage  
V
I = -3 A, t  
≥ 20 µs, V = -100 V  
2.0  
V
GT  
T
GG  
V
= -3 V  
100  
50  
pF  
pF  
Cathode-anode off-  
state capacitance  
D
C
f = 1 MHz, V = 1 V, I = 0, (see Note 4)  
d G  
KA  
V
= -48 V  
D
NOTE 4: These capacitance measurements employ a three terminal capacitance bridge incorporating a guard circuit. The unmeasured  
device terminals are a.c. connected to the guard terminal of the bridge.  
APRIL 2001 REVISED FEBRUARY 2005  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
1234567...11

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与TISP61521DR-S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TISP61521D-S BOURNS DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

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