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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP50
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TIP50

更新时间： 2024-11-22 22:49:51
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管局域网
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4页 40K
描述
High Voltage and Switching Applications

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TIP47/48/49/50  
High Voltage and Switching Applications  
•
•
High Sustaining Voltage : V  
1A Rated Collector Current  
(sus) = 250 - 400V  
CEO  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Silicon Transistor  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: TIP47  
350  
400  
450  
500  
V
V
V
V
CBO  
: TIP48  
: TIP49  
: TIP50  
: TIP47  
: TIP48  
: TIP49  
: TIP50  
250  
300  
350  
400  
V
V
V
V
CEO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
EBO  
I
I
I
1
C
2
A
CP  
B
0.6  
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
2
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEX  
: TIP47  
: TIP48  
: TIP49  
: TIP50  
I
= 30mA, I = 0  
250  
300  
350  
400  
V
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current : TIP47  
V
V
V
V
= 150V, I = 0  
1
1
1
1
mA  
mA  
mA  
mA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
CE  
B
: TIP48  
: TIP49  
: TIP50  
= 200V, I = 0  
B
= 250V, I = 0  
B
= 300V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current : TIP47  
V
V
V
V
= 350V, V = 0  
1
1
1
1
mA  
mA  
mA  
mA  
CEX  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: TIP48  
: TIP49  
: TIP50  
= 400V, V = 0  
BE  
= 450V, V = 0  
BE  
= 500V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 10V, I = 0.3A  
30  
10  
150  
FE  
CE  
CE  
C
= 10V, I = 1A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn ON Time  
I
= 1A, I = 0.2A  
1
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
V
= 10V, I = 1A  
1.5  
CE  
CE  
CC  
C
f
t
t
t
=10V, I = 0.2A  
10  
MHz  
µs  
T
C
= 400V  
0.5  
3
ON  
5I = -2.5I = I = 6A  
R = 66.7Ω  
Storage Time  
B1  
B2  
C
µs  
STG  
L
Fall Time  
0.3  
µs  
F
* Pulse Test: PW≤300µs, duty Cycleµ2% Pulse  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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TIP50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP50G ONSEMI

完全替代

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