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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP42A
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TIP42A

更新时间： 2024-11-29 22:49:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 225K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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TIP42A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：65 W最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

TIP42A 数据手册

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by TIP41A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
•
Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 1.5 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
V
CE(sat)  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP41A, TIP42A  
= 80 Vdc (Min) — TIP41B, TIP42B  
= 100 Vdc (Min) — TIP41C, TIP42C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
•
High Current Gain — Bandwidth Product  
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
Compact TO–220 AB Package  
f
T
C
*Motorola Preferred Device  
6 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
*MAXIMUM RATINGS  
TIP41A TIP41B TIP41C  
TIP42A TIP42B TIP42C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
60–80–100 VOLTS  
65 WATTS  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
6
10  
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
65  
0.52  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
A
Derate above 25 C  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
E
62.5  
mJ  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
62.5  
1.92  
θJA  
θJC  
(1) I = 2.5 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V  
= 10 V, R = 100 Ω.  
BE  
C
CC  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP42A_09 FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
TIP42A16 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP42A16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP42A-6200 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
TIP42A-6203 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
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TIP42A-6258 RENESAS

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 		7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP42A-6261 RENESAS

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 		7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP42AA MOTOROLA

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 		6A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP42AAF MOTOROLA

获取价格

 		6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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