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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP41C
TIP41C PDF预览

TIP41C

更新时间： 2024-02-17 09:09:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管PC局域网
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Medium Power Linear Switching Applications

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TIP41C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.64最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP41C 数据手册

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TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complement to TIP42/42A/42B/42C  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage: TIP41  
40  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP41A  
: TIP41B  
: TIP41C  
100  
Collector-Emitter Voltage: TIP41  
40  
60  
80  
V
V
V
V
: TIP41A  
: TIP41B  
: TIP41C  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
6
C
10  
A
CP  
B
2
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
65  
2
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP41  
I
= 30mA, I = 0  
40  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: TIP41A  
: TIP41B  
: TIP41C  
100  
I
Collector Cut-off Current  
: TIP41/41A  
CEO  
V
V
= 30V, I  
= 60V, I = 0  
0
0.7  
0.7  
mA  
mA  
CE  
CE  
B =  
: TIP41B/41C  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP41  
CES  
V
V
V
V
= 40V, V = 0  
400  
400  
400  
400  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
: TIP41A  
: TIP41B  
: TIP41C  
= 60V, V = 0  
EB  
= 80V, V = 0  
EB  
= 100V, V = 0  
EB  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V,I = 0.3A  
30  
15  
FE  
CE  
CE  
C
75  
= 4V, I = 3A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= 6A, I = 600mA  
1.5  
2.0  
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
= 4V, I = 6A  
C
CE  
CE  
f
= 10V, I = 500mA  
3.0  
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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TIP41C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD243C FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear and Switching Applications
TIP41CG ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与TIP41C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP41C_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Complementary power transistors
TIP41C_08 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
TIP41C_11 UTC

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 		NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
TIP41C_15 UTC

获取价格

 		NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
TIP41C16 MOTOROLA

获取价格

 		6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41C16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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TIP41C-6255 RENESAS

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 		7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41C-6258 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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