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TIP41CBA

更新时间： 2024-11-19 04:50:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
61页 408K
描述
6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP41CBA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.89外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHz

TIP41CBA 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
•
Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 1.5 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
V
CE(sat)  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP41A, TIP42A  
= 80 Vdc (Min) — TIP41B, TIP42B  
= 100 Vdc (Min) — TIP41C, TIP42C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
•
High Current Gain — Bandwidth Product  
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
Compact TO–220 AB Package  
f
T
C
*Motorola Preferred Device  
6 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
*MAXIMUM RATINGS  
TIP41A TIP41B TIP41C  
TIP42A TIP42B TIP42C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
60–80–100 VOLTS  
65 WATTS  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
6
10  
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
65  
0.52  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
A
Derate above 25 C  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
E
62.5  
mJ  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
62.5  
1.92  
θJA  
θJC  
(1) I = 2.5 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V  
= 10 V, R  
= 100 Ω.  
BE  
C
CC  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
3–883  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...61

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP41CBD ONSEMI

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 		TRANSISTOR 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
TIP41CBG ONSEMI

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 		TRANSISTOR 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
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 		Silicon NPN Power Transistors
TIP41C-BP-HF MCC

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 		暂无描述
TIP41CBS ONSEMI

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 		TRANSISTOR 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
TIP41CBU ONSEMI

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 		6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP41CD1 MOTOROLA

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 		6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41C-DR6260 RENESAS

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 		7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41C-DR6269 RENESAS

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 		7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP41C-DR6274 RENESAS

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 		7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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