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TIP132-S PDF预览

TIP132-S

更新时间： 2024-09-26 21:12:31
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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TIP132-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP132-S 数据手册

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TIP130, TIP131, TIP132  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
TIP135, TIP136 and TIP137  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
70 W at 25°C Case Temperature  
8 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 1000 at 4 V, 4 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
TIP130  
TIP131  
TIP132  
TIP130  
TIP131  
TIP132  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
80  
V
100  
60  
VCEO  
80  
V
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
8
12  
A
0.3  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
70  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
2
½LIC  
75  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
260  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 5 mA, RBE = 100 Ω,  
BE(off) = 0, RS = 0.1 Ω, VCC = 20 V.  
V
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
1234

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