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TIP127F

更新时间： 2024-02-05 07:55:53
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 214K
描述
NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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TIP127F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：75 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

TIP127F 数据手册

 浏览型号TIP127F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIP127F的Datasheet PDF文件第3页 
Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
TIP122F NPN  
TIP127F PNP  
TO-220FP  
B
C
E
Designed for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
100  
100  
5.0  
5.0  
UNIT  
V
V
V
A
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current -Continuous  
Collector Current (Peak)  
Base Current  
ICM  
IB  
8.0  
120  
A
mA  
Total Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Total Power Dissipation @ Ta=25 deg C  
Derate Above 25 deg C  
Unclamped Inductive Load Energy (1)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE  
From Junction to Ambient  
From Junction to Case  
PD  
65  
0.52  
2.0  
0.016  
50  
150  
W
W/deg C  
W
W/deg C  
mj  
deg C  
deg C  
PD  
E
Tj  
Tstg  
-65 to +150  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
62.5  
1.92  
deg C/W  
deg C/W  
(1) IC=1A, L=100mH,P.R.F.=10Hz, VCC=20V, RBE=100 ohms  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)  
DESCRIPTION  
Collector Emitter (sus) Voltage  
Collector Cut off Current  
SYMBOL  
VCEO (sus) * IC=100mA, IB=0  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
VCE(Sat)*  
TEST CONDITION  
MIN  
100  
-
-
-
-
-
MAX  
-
UNIT  
V
mA  
mA  
mA  
V
V
V
K
K
VCB=100V, IE=0  
IB=O, VCE=50V  
VEB=5V,IC=0  
IC=3A, IB=12mA  
IC=5A, IB=20mA  
IC=3A, VCE=3V  
IC=0.5A, VCE=3V  
IC=3A, VCE=3V  
0.2  
0.5  
2.0  
2.0  
4.0  
2.5  
-
Emitter Cut off Current  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter on Voltage  
DC Current Gain  
VBE(on) *  
hFE*  
-
1.0  
1.0  
-
Continental Device India Limited  
Page 1 of 3  
Data Sheet  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP127FP STMICROELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP127FP NJSEMI

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 		Power Bipolar Transistor,
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