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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.79 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.89 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.72 mm |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 电信集成电路类型： | ETHERNET TRANSCEIVER | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TH8082 | MELEXIS |
获取价格 |
Enhanced SoloLIN Transceiver |
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| TH8082KDC | MELEXIS |
获取价格 |
Enhanced SoloLIN Transceiver |
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| TH81070AL-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070AL-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070AL-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070AS-60 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070AS-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070AS-80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070CL-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM |
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| TH81070CS-50 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 1M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM |
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