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TGL4168

更新时间： 2024-11-01 22:59:23

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德欧泰克 - DIOTEC		二极管
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4页	165K
描述
Surface Mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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TGL4168 数据手册

TGL 41-6.8 ... TGL 41-200CA

Surface Mount

Unidirektionale und bidirektionale

Spannungs-Begrenzer-Dioden

für die Oberflächenmontage

unidirectional and bidirectional

Transient Voltage Suppressor Diodes

Pulse power dissipation – Impuls-Verlustleistung

400 W

Nominal breakdown voltage

6.8...200 V

Nominale Abbruch-Spannung

Plastic case MELF

DO-213AB

0.12 g

Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

see page 18

siehe Seite 18

Dimensions / Maße in mm

Suffix “C” or “CA” for bidirectional types

Suffix “C” oder “CA” für bidirektionale Typen

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)

Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)

T_A= 25ꢀC

I_F= 25 A

P_PPM

P_M(AV)

I_FSM

V_F

400 W ¹)

Steady state power dissipation

Verlustleistung im Dauerbetrieb

1 W ²)

Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

40 A ³)

Max. instantaneous forward voltage

< 3.5 V ³)

Augenblickswert der Durchlaßspannung

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+150ꢀC

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 45 K/W ²)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to terminal

R_thT

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche

)

Non-repetitive current pulse see curve I_PPM= f (t_r)

Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve I_PPM= f (t_r)

Mounted on P.C. board with 25 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 25 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden

07.01.2003

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