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TGL41-75A

更新时间: 2024-11-01 23:03:39
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 165K
描述
Surface Mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

TGL41-75A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-213AB包装说明:O-PELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:1.53最大击穿电压:78.8 V
最小击穿电压:71.3 V击穿电压标称值:75 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-213ABJESD-30 代码:O-PELF-R2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:400 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:64.1 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

TGL41-75A 数据手册

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TGL 41-6.8 ... TGL 41-200CA  
Surface Mount  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
für die Oberflächenmontage  
unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Pulse power dissipation – Impuls-Verlustleistung  
400 W  
Nominal breakdown voltage  
6.8...200 V  
Nominale Abbruch-Spannung  
Plastic case MELF  
DO-213AB  
0.12 g  
Kunststoffgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Suffix “C” or “CA” for bidirectional types  
Suffix “C” oder “CA” für bidirektionale Typen  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s)  
TA = 25C  
TA = 25C  
TA = 25C  
IF = 25 A  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
VF  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
< 3.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
TS – 50…+150C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 10 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
2
3
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden  
1
07.01.2003  

TGL41-75A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TGL41-75A SEMIKRON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
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DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB, PLASTIC, GL41, 2 PIN, Transient
TGL41-75A46 VISHAY

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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
TGL41-75A-46 VISHAY

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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
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DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB, PLASTIC, GL41, 2 PIN, Transient
TGL41-75AC MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
TGL41-75A-E3/75 VISHAY

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Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 64.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO