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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> TGL41-62
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TGL41-62

更新时间： 2024-11-01 23:03:39
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 瞬态抑制器二极管IOT局域网
页数 文件大小 规格书
4页 165K
描述
Surface Mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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TGL41-62 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-213AB包装说明：O-PELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最大击穿电压：68.8 V最小击穿电压：55.8 V
击穿电压标称值：62 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-PELF-R2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50.2 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

TGL41-62 数据手册

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TGL 41-6.8 ... TGL 41-200CA  
Surface Mount  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
für die Oberflächenmontage  
unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Pulse power dissipation – Impuls-Verlustleistung  
400 W  
Nominal breakdown voltage  
6.8...200 V  
Nominale Abbruch-Spannung  
Plastic case MELF  
DO-213AB  
0.12 g  
Kunststoffgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Suffix “C” or “CA” for bidirectional types  
Suffix “C” oder “CA” für bidirektionale Typen  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IF = 25 A  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
VF  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
< 3.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150ꢀC  
TS – 50…+150ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 10 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
2
3
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden  
1
07.01.2003  
1234

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TGL41-62 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P4KE62 BL Galaxy Electrical

功能相似

 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

与TGL41-62相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TGL41-62/46HE3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB, PLASTIC, GL41, 2 PIN, Transient
TGL41-62A EIC

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 		Transient Suppressor,
TGL41-62A SEMIKRON

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 		Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes
TGL41-62A VISHAY

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 		SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SU
TGL41-62A DIOTEC

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 		Surface Mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
TGL41-62A MICROSEMI

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 		500 Watt Transient Voltage Suppressor
TGL41-62A TAITRON

获取价格

 		400W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
TGL41-62A-26 VISHAY

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 53V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
TGL41-62A26HE3 VISHAY

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 		DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB, PLASTIC, GL41, 2 PIN, Transient
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