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TGF1350

更新时间： 2024-02-21 23:55:08

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TGF1350 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	0.7 W
最小功率增益 (Gp)：	8 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

Product Data Sheet

Discrete MESFET

TGF1350-SCC

Key Features and Performance

•

0.5 um x 300 um FET

1.5 dB Noise Figure with 11dB

Associated Gain at 10 GHz

•

2.5 dB Noise Figure with 7 dB

Associated Gain at 18 GHz

•

All-gold Metallization for High Reliability

Recessed Gate Structure

Description

The TriQuint TGF1350-SCC is a single-gate GaAs field-effect transistor (FET) used

for low-noise applications DC to 18 GHz. Bond pad is gold plated for compatibility

with thermocompression and thermosonic compatibility wire-bonding processes.

The TGF1350-SCC is readily assembled using automated equipment. Die attach

should be accomplished with conductive epoxy only. Eutectic attach is not

recommended .

TriQuint Semiconductor Texas : (972)994 8465 Fax: (972)994 8504 Web: www.triquint.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TGF1350-SCC	TRIQUINT	Discrete MESFET	获取价格
TGF1350SPCX	TI	KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET	获取价格
TGF148-1000B	STMICROELECTRONICS	63A, 1000V, SCR, TO-65	获取价格
TGF148-1000Z	STMICROELECTRONICS	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),63A I(T),TO-208AC	获取价格
TGF148-1100B	STMICROELECTRONICS	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.1KV V(DRM),63A I(T),TO-208AC	获取价格
TGF148-1100Z	STMICROELECTRONICS	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.1KV V(DRM),63A I(T),TO-208AC	获取价格