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TE28F008BV-T80

更新时间: 2024-02-21 10:00:29
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 425K
描述
Flash, 1MX8, 80ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40

TE28F008BV-T80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:10 X 20 MM, TSOP-40
针数:40Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.83最长访问时间:80 ns
其他特性:USER-SELECTABLE 5V OR 12V VPP; DEEP POWER DOWN; HARDWARE WRITE PROTECT; TOP BOOT BLOCK启动块:TOP
命令用户界面:YES数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G40长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,7端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3/5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,96K,128K
子类别:Flash Memories最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:MOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:10 mmBase Number Matches:1

TE28F008BV-T80 数据手册

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