5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8536.69.40.40 |
| 风险等级： | 5.73 | 紧固方法： | SCREW |
| 层数： | 1 | 通路数： | 45 |
| 额定电流： | 20 A | 额定电压： | 250 V |
| 安全认证： | UL; VDE; CSA | 端子和端子排类型： | BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TDB475K16CB | SHARMA |
获取价格 |
Tantalum Capacitors |
|
| TDB49 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Deck(s) |
|
| TDB5 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Deck(s) |
|
| TDB55 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Deck(s) |
|
| TDB684K50CB | SHARMA |
获取价格 |
Sharma Tantalum Capacitors |
|
| TDB685K10CB | SHARMA |
获取价格 |
Sharma Tantalum Capacitors |
|
| TDB6HK104N16RR | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element |
|
| TDB6HK104N16RROF | INFINEON |
获取价格 |
Trigger Device |
|
| TDB6HK110N06KOF | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|600V V(RRM)|110A I(T) |
|
| TDB6HK110N08KOF | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|800V V(RRM)|110A I(T) |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
