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TD9944TG-G

更新时间： 2024-11-02 12:03:15
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 494K
描述
Dual N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

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TD9944TG-G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：240 V最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：25 pF
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TD9944TG-G 数据手册

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TD9944  
Dual N-Channel Enhancement-Mode  
Vertical DMOS FET  
Features  
General Description  
► Dual N-channel devices  
► Low threshold – 2.0V max.  
This low threshold, enhancement-mode (normally-off)  
transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s  
well-proven, silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and the high input  
impedance and positive temperature coefficient inherent  
in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this  
device is free from thermal runaway and thermally-induced  
secondary breakdown.  
► High input impedance  
► Low input capacitance – 125pF max.  
► Fast switching speeds  
► Low on-resistance  
► Free from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
Applications  
► Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a  
wide range of switching and amplifying applications where  
very low threshold voltage, high breakdown voltage, high  
input impedance, low input capacitance, and fast switching  
speeds are desired.  
► Solid state relays  
► Battery operated systems  
► Photo voltaic drives  
► Analog switches  
► General purpose line drivers  
► Telecom switches  
Ordering Information  
Package Option  
RDS(ON)  
ID(ON)  
VGS(th)  
BVDSS/BVDGS  
8-Lead SOIC  
4.90x3.90mm body  
1.75mm height (max)  
1.27mm pitch  
Device  
(max)  
(Ω)  
(min)  
(A)  
(max)  
(V)  
(V)  
TD9944  
TD9944TG-G  
240  
6.0  
1.0  
2.0  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
Pin Configuration  
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
G1  
S1  
Value  
BVDSS  
8-Lead SOIC (TG)  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
Product Marking  
BVDGS  
Gate-to-source voltage  
±20V  
T D 9 9  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
Operating and storage temperature  
-55OC to +150OC  
300OC  
4 4 T G  
= “Green” Packaging  
Soldering temperature*  
Y Y W W  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
Package may or may not include the following marks: Si or  
8-Lead SOIC (TG)  
*
Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com  
123456

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TD9944TG-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TD9944TG SUPERTEX

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