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TD92N12KOF

更新时间： 2024-11-03 07:59:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	408K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 160A I(T)RMS, 92000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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TD92N12KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MODULE	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	快速连接描述：	G-GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	通态非重复峰值电流：	1800 A
最大通态电流：	92000 A	最高工作温度：	130 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TD92N12KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT92N

Phase Control Thyristor Module

TT92N

TD92N

DT92N

NT92N

TT92N..K..-K

TD92N..K..-A

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1300

1400 V

1600 V

V_DRM,V_RRM

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

160 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

92 A

104 A

T_C= 85°C

T_C= 76°C

2050 A

1800 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

21000 A²s

16200 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,62 V

0,85 V

2,15 mΩ

120 mA

1,4 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

5,0 mA

2,5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

200 mA

620 mA

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

25 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 0,6 A, di_G/dt = 0,6 A/µs

C.Drilling

date of publication: 09.07.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling

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