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TD85N20KOF

更新时间： 2024-11-02 21:10:31

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13页	397K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 85000mA I(T), 2000V V(RRM)

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TD85N20KOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
快速连接描述：	G	螺丝端子的描述：	A-K-AK
通态非重复峰值电流：	2000 A	最大通态电流：	85000 A
最高工作温度：	125 °C	重复峰值反向电压：	2000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	Base Number Matches：	1

TD85N20KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT85N

Phase Control Thyristor Module

TT85N

TD85N

DT85N

DT85N..K..-K

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1800

1900

2000 V

V_DRM,V_RRM

2000 V

2100 V

180 A

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

85 A

115 A

T_C= 85°C

T_C= 63°C

2250 A

2000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

25300 A²s

20000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,78 V

0,9 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

V_(TO)

r_T

2,6 mΩ

150 mA

1,4 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

5 mA

2,5 mA

max.

0,2 V

200 mA

620 mA

30 mA

3 µs

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

I_L

i_D, i_R

t_gd

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C. Drilling

date of publication: 27.05.02

prepared by:

Revision:

approved by: J. Novotny

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A7/02

Seite/page

BIP AC / 27.05.02, C. Drilling

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TD86N06KOF-A	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|CA\|86A I(T)
TD86N06KOF-K	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|CC\|86A I(T)
TD86N08KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|HALF-CNTLD\|POSITIVE\|86A I(T)
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