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TD251N

更新时间： 2024-11-05 09:54:23

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13页	414K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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TD251N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT251N

TD251N

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

1400 V

1800 V

V_DRM,V_RRM

1200

1600

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1300

1700

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

410 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

250 A

261 A

T_C= 85°C

T_C= 82°C

9100 A

8000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

414000 A²s

320000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

250 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,4 V

0,8 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

0,7 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 23.09.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / Warstein,den 26.09.85 Tscharn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TD251N06KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|HALF-CNTLD\|POSITIVE\|600V V(RRM)\|250A I(T)
TD251N06KOF-A	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|CA\|600V V(RRM)\|250A I(T)
TD251N06KOF-K	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|DOUBLER\|CC\|600V V(RRM)\|250A I(T)
TD251N12KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 261000mA I(T), 1200V V(RRM)
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TD251N16KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD251N18KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD2576	ETC	获取价格	3A 52KHz PWM Buck DC/DC Converter

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