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TC7SET00F(TE85L,F)

更新时间： 2024-02-21 10:14:17

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东芝 - TOSHIBA		栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
页数	文件大小	规格书
7页	185K
描述
IC,LOGIC GATE,2-INPUT NAND,CMOS,TSOP,5PIN,PLASTIC

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TC7SET00F(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP5/6,.11,37	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.008 A	端子数量：	5
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP5/6,.11,37	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	10.3 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
子类别：	Gates	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

TC7SET00F(TE85L,F) 数据手册

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TC7SET00F/FU

TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

TC7SET00F, TC7SET00FU

2 Input NAND Gate

Features

TC7SET00F

•

High Speed : t = 4.2ns (typ) at V

= 5 V, C = 15pF

CC L

Low Power Dissipation : I

= 2μA (Max) at Ta = 25℃

Compatible with TTL outputs

: V = 0.8 V (max)

= 2.0 V (min)

•

5.5-V tolerant inputs.

Balanced Propagation Delays : t

≒ t

pHL

pLH

(SMV)

TC7SET00FU

Marking

Product Name

(USV)

G 1

Weight

SSOP5-P-0.95

SSOP5-P-0.65A

: 0.016 g (typ.)

: 0.006 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Pin Assignment (top view)

Characteristics

Supply voltage

Symbol

Rating

Unit

−0.5 to 7.0

DC input voltage

IN B

IN A

GND

DC output voltage

Input diode current

Output diode current

DC output current

−0.5 to V +0.5

OUT

−20

±20 (Note 1)

±25

°C

OUT

OUT Y

DC V /ground current

±50

Power dissipation

200

Storage temperature

Lead temperature (10s)

−65 to 150

260

stg

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings and the operating ranges.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: V_OUT< GND, V_OUT> V_CC

2009-09-29

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