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TC7S08F(T5L,F,T)

更新时间： 2024-11-25 21:13:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
7页 198K
描述
IC GATE AND 2INP 74HC08 5-SSOP

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TC7S08F(T5L,F,T) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SSOP包装说明：0.95 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：7.66
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G5
长度：2.9 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：AND GATE最大I（ol）：0.002 A
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP5/6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/6 VProp。Delay @ Nom-Sup：125 ns
传播延迟（tpd）：125 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.4 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.95 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

TC7S08F(T5L,F,T) 数据手册

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TC7S08F/FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7S08F, TC7S08FU  
2-Input AND Gate  
TC7S08F  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
High Speed  
: t  
: I  
7ns (typ.) at V  
= 5 V  
pd =  
CC  
Low power dissipation  
High noise immunity  
Output drive capability  
= 1 μA (max) at Ta = 25°C  
CC  
: V  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
: 5 LSTTL Loads  
Symmetrical Output Impedance |I | = I = 2mA (min)  
OH  
OL  
(SMV)  
Balanced propagation delays : t  
≒ t  
pHL  
pLH  
TC7S08FU  
Wide operating voltage range : V  
= 2 to 6 V  
CC  
Marking  
Product name  
E 2  
(USV)  
Weight  
SSOP5-P-0.95  
SSOP5-P-0.65A  
: 0.016 g (Typ.)  
: 0.006 g (Typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Pin Assignment (top view)  
V
−0.5 to 7.0  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
IN  
CC  
CC  
IN B  
IN A  
GND  
1
2
3
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
I
±20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20  
±12.5  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
4
OUT Y  
CC  
Power dissipation  
P
200  
D
Storage temperature  
Lead temperature (10 s)  
T
stg  
−65 to 150  
T
L
260  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
1
2009-08-05  
1234567

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TC7S08F(T5L,F,T) 替代型号

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