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TC7PA14FU

更新时间： 2024-11-30 04:00:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 187K
描述
Dual Schmitt Inverter

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TC7PA14FU 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP6,.08针数：6
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.64系列：ALVC/VCX/A
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
长度：2 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：INVERTER最大I（ol）：0.006 A
功能数量：2输入次数：1
端子数量：6最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：8.6 ns
传播延迟（tpd）：8.6 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：YES座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

TC7PA14FU 数据手册

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TC7PA14FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7PA14FU  
Dual Schmitt Inverter  
Features  
•
•
Operating voltage range: V  
= 1.8~3.6 V  
CC  
High-speed operation: t = 4.0 ns (max) at V  
= 3.0~3.6 V  
= 2.3~2.7 V  
= 1.8 V  
pd  
CC  
CC  
CC  
t
t
= 4.3 ns (max) at V  
= 8.6 ns (max) at V  
pd  
pd  
•
High-level output current:  
I
I
I
/I = ±24 mA (min) at V  
= 3.0 V  
= 2.3 V  
OH OL  
CC  
/I = ±18 mA (min) at V  
OH OL  
CC  
/I = ±6 mA (min) at V  
= 1.8 V  
OH OL  
CC  
•
•
3.6-V tolerant inputs  
3.6-V power down protection outputs  
Weight: 0.0068 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Marking  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Product name  
V
−0.5~4.6  
−0.5~4.6  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
E A A  
−0.5~4.6 (Note 1)  
DC output voltage  
V
V
OUT  
−0.5~V  
+ 0.5  
CC  
(Note 2)  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
Power dissipation  
I
−50  
mA  
mA  
mA  
mW  
mA  
°C  
IK  
Pin Assignment (top view)  
I
−50 (Note 3)  
±50  
OK  
I
OUT  
1Y  
1A  
6
1
2
3
P
200  
D
DC V /ground current  
CC  
I
±100  
CC  
GND  
2A  
VCC  
2Y  
5
4
Storage temperature  
T
stg  
−65~150  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability  
significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
Note 1:  
V
CC  
= 0 V  
Note 2: High or Low state. I  
absolute maximum rating must be observed.  
OUT  
2007-11-01  
1
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