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TC5561P-70

更新时间： 2024-11-11 18:28:47

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东芝 - TOSHIBA		输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	59K
描述
IC 64K X 1 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22, Static RAM

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TC5561P-70 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP22,.3	针数：	22
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.24
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDIP-T22
JESD-609代码：	e0	长度：	27.2 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	22
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX1
输出特性：	3-STATE	可输出：	NO
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP22,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.45 mm
最大待机电流：	0.00005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC5562J-55	TOSHIBA	获取价格	IC 64K X 1 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24, Static RAM
TC5562P-35	TOSHIBA	获取价格	IC 64K X 1 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22, Static RAM
TC5563APL-10L	TOSHIBA	获取价格	IC 8K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP28, 0.300 INCH, SLIM, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC5563APL-12L	TOSHIBA	获取价格	IC 8K X 8 STANDARD SRAM, 120 ns, PDIP28, 0.300 INCH, SLIM, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC5563APL-15L	TOSHIBA	获取价格	IC 8K X 8 STANDARD SRAM, 150 ns, PDIP28, 0.300 INCH, SLIM, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
TC5564	TOSHIBA	获取价格	8,192 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM
TC5564AFL-15	TOSHIBA	获取价格	8,192 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM
TC5564AFL-20	TOSHIBA	获取价格	8,192 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM
TC5564APL-15	TOSHIBA	获取价格	8,192 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM
TC5564APL-20	TOSHIBA	获取价格	8,192 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM