生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.28 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1-R | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HY628100AR1-70 | HYNIX |
功能相似 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-32 | |
TC551001BTRL-70L | TOSHIBA |
功能相似 |
SILICON GATE CMOS 131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC551001CTR-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
TC551001CP55 | |
TC551001CTR-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TC551001CP55 | |
TC551001CTRI-70 | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC551001CTRI-70L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC551001CTRI-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC551001CTRI-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072 WORD x 8 BIT STATIC RAM | |
TC551001FI-10L | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
TC551001FL-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
TC551001FL-10(EL) | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM | |
TC551001FL-10L | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM |