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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> TC1412NEOA
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TC1412NEOA

更新时间： 2024-11-05 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
14页 436K
描述
2A High-Speed MOSFET Drivers

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TC1412NEOA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.3Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：160757
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：TC1412NEOA
Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08Is Samacsys：N
高边驱动器：YES接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出峰值电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：4.5/16 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：16 V
最小供电电压：4.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40断开时间：0.05 µs
接通时间：0.05 µs宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

TC1412NEOA 数据手册

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TC1412/TC1412N  
M
2A High-Speed MOSFET Drivers  
Features  
Package Type  
• Latch-Up Protected: Will Withstand 500mA  
Reverse Current  
8-Pin PDIP/SOIC  
V
1
2
3
4
8
7
6
5
V
V
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD  
DD  
IN  
DD  
DD  
IN  
• Input Will Withstand Negative Inputs Up to 5V  
• ESD Protected: 4kV  
OUT  
OUT  
GND  
OUT  
OUT  
GND  
TC1412  
TC1412N  
NC  
NC  
• High Peak Output Current: 2A  
• Wide Operating Range  
GND  
GND  
- 4.5V to 16V  
2
6, 7  
2
6, 7  
• High Capacitive Load Drive Capability: 1000pF in  
18nsec  
Inverting  
NC = No internal connection  
Noninverting  
• Short Delay Time: 35nsec Typ  
• Consistent Delay Times With Changes in Supply  
Voltage  
General Description  
• Matched Delay Times  
• Low Supply Current  
The TC1412/TC1412N are 2A CMOS buffer/drivers.  
They will not latch up under any conditions within their  
power and voltage ratings. They are not subject to  
damage when up to 5V of noise spiking of either  
polarity occurs on the ground pin. They can accept,  
without damage or logic upset, up to 500mA of current  
of either polarity being forced back into their output. All  
terminals are fully protected against up to 4kV of  
electrostatic discharge.  
-
-
With Logic “1” Input: 500µA  
With Logic “0” Input: 100µA  
• Low Output Impedance: 4Ω  
• Pinout Same as TC1410/TC1411/TC1413  
Applications  
• Switch Mode Power Supplies  
• Pulse Transformer Drive  
• Line Drivers  
As MOSFET drivers, the TC1412/TC1412N can easily  
charge a 1000pF gate capacitance in 18nsec with  
matched rise and fall times, and provide low enough  
impedance in both the ON and the OFF states to  
ensure the MOSFET’s intended state will not be  
affected, even by large transients. The rise and fall time  
edges are matched to allow driving short-duration  
inputs with greater accuracy.  
• Relay Driver  
Device Selection Table  
Part Number  
Package  
Temp. Range  
TC1412COA  
TC1412CPA  
TC1412EOA  
TC1412EPA  
TC1412NCOA  
TC1412NCPA  
TC1412NEOA  
TC1412NEPA  
8-Pin SOIC  
8-Pin PDIP  
8-Pin SOIC  
8-Pin PDIP  
8-Pin SOIC  
8-Pin PDIP  
8-Pin SOIC  
8-Pin PDIP  
0°C to +70°C  
0°C to +70°C  
-40°C to +85°C  
-40°C to +85°C  
0°C to +70°C  
0°C to +70°C  
-40°C to +85°C  
-40°C to +85°C  
2002 Microchip Technology Inc.  
DS21391B-page 1  
1234567...14

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TC1412NEOA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TC1412NEOA713 MICROCHIP

完全替代

 2 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
TC1412EOA713 MICROCHIP

完全替代

 2 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
TC1412EOA MICROCHIP

完全替代

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