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TBL1012DW

更新时间： 2024-04-09 19:00:56

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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5页	553K
描述
0.75A, 20V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs

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TBL1012DW 数据手册

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL1012DW

100

4.5

f = 1 MHz

V_DS= 10V；I_D= 0.5A

3.5

Ciss

2.5

1.5

Coss

Crss

0.5

1.5

2.5

Qg(nC)

V_DS(V)

Fig 7 Capacitance Characteristics

Fig 8 Gate-Charge Characteristics

1.1

1.05

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

I_D= 250uA

0.95

0.9

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J(℃)

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J(℃)

Fig 9 Normalized Breakdown Voltage vs.

Junction Temperature

Fig 10 Normalized V_GS(th)vs. Junction Temperature

MTM0150A: February 2023 [2.1]

www.gmesemi.com

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