Datasheet > TBL1012DW

TBL1012DW

更新时间： 2024-04-09 19:00:56

品牌	Logo	应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
页数	文件大小	规格书
5页	553K
描述
0.75A, 20V, 0.15W, N Channel, Small Signal MOSFETs

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TBL1012DW 数据手册

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL1012DW

Ratings and Characteristics Curves (@ T_A= 25C unless otherwise specified)

3.5

500

400

300

200

100

V_GS= 3V

V_GS= 4.5V

V_GS= 4V

V_GS= 1.8V

V_GS= 2.5V

V_GS= 3.5V

V_GS= 2.5V

2.5

V_GS= 2V

1.5

V_GS= 4.5V

V_GS= 1.5V

0.5

V_GS= 1V

0.5

1.5

2.5

0.5

1.5

V_DS(V)

I_D(A)

Fig 1 Typical Output Characteristics

Fig 2 On-Resistance vs. Drain Current

and Gate Voltage

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

3.5

I_D= 0.5A

-55℃

25℃

2.5

150℃

1.5

25℃

0.5

-55℃

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_GS(V)

V_SD(V)

Fig 3 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Fig 4 Body-Diode Characteristics

1.5

1.6

1.5

1.4

V_DS= 3V

-55℃

25℃

V_GS= 2.5V; I_D= 0.2A

1.3

150℃

1.2

1.1

V_GS= 1.8V; I_D= 0.1A

0.5

0.9

V_GS= 4.5V; I_D= 0.5A

0.8

0.7

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

0.5

1.5

2.5

V_GS(V)

T_J(℃)

Fig 5 Normalized On-Resistance vs. Junction

Temperature

Fig 6 Transfer Characteristics

MTM0150A: February 2023 [2.1]

www.gmesemi.com

1 234 5

下载PDF

与TBL1012DW相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TBL1012L	Galaxy Microelectronics	20V, N Channel MOSFETs	获取价格
TBL1012M	Galaxy Microelectronics	20V, N Channel MOSFETs	获取价格
TBL1012T	Galaxy Microelectronics	0.64A, 20V, 0.28W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
TBL1014DW	Galaxy Microelectronics	0.6A, 30V, 0.35W, N Channel, Dual MOSFETs	获取价格
TBL1014W	Galaxy Microelectronics	0.6A, 30V, 0.2W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
TBL10G	HY	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格