Datasheet > TBL080N06HB

TBL080N06HB

更新时间： 2024-04-09 19:01:38

品牌	Logo	应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
页数	文件大小	规格书
5页	671K
描述
80A, 60V, 112W, N Channel, Power MOSFETs

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TBL080N06HB 数据手册

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL080N06HB

10000

1000

100

f = 1 MHz

V_DS= 30V；I_D= 30A

Ciss

Coss

Crss

0.1

100

V_DS(V)

Qg(nC)

Fig 7 Capacitance Characteristics

Fig 8 Gate-Charge Characteristics

1.15

1.2

1.1

1.05

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

I_D= 250uA

0.95

0.9

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-75 -50 -25

25 _T5_(℃0 ₎75 100 125 150 175

T_J(℃)

Fig 9 Normalized Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

Fig 10 Normalized V_GS(th)vs. Junction Temperature

1000

100

t_p= 10 us

δ = 0.5

0.2

100 us

1 ms

0.1

0.05

0.02

10 ms

100 ms

T_C= 25℃

δ = t_p/T= 0.01

0.01

0.000001 0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

V_DS(V)

t_P(s)

Fig 11 Safe Operation Area

Fig 12 Maximum transient thermal impedance

MTM0962A: May 2023 [2.1]

www.gmesemi.com

1 2 345

下载PDF

与TBL080N06HB相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TBL080N06HD	Galaxy Microelectronics	80A, 60V, 112W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
TBL080N06HU	Galaxy Microelectronics	95A, 60V, 150W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
TBL080N10T-5DL8	Galaxy Microelectronics	82A, 100V, 104W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
TBL080N10TB	Galaxy Microelectronics	100A, 100V, 250W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格
TBL080N10TD	Galaxy Microelectronics	100V, N Channel MOSFETs	获取价格
TBL085N03-3DL8	Galaxy Microelectronics	30A, 30V, 18W, N Channel, Power MOSFETs	获取价格