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TB4S-G

更新时间： 2024-11-30 07:17:55

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Silicon Bridge Rectifiers

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TB4S-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	最大重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	YES

TB4S-G 数据手册

Silicon Bridge Rectifiers

TB2S-G Thru. TB10S-G

Reverse Voltage: 200 to 1000 Volts

Forward Current: 0.8,1.0 A

RoHS Device

Features

TBS

-Glass passivated chip junction.

0.028 (0.70)

0.024 (0.60)

-High surge overload rating :30A peak

-Save space on printed circuit boards.

0.179 (4.55)

0.167 (4.25)

-High temperature soldering guaranteed:

260°C/10 seconds at 5 ibs.

0.012 (0.30)

0.008 (0.20)

-Pb free product.

0.264 (6.70)

0.249 (6.30)

0.161 (4.10)

0.154 (3.90)

-Plastic materrial has U/L flammability classification 94v-0.

0.006 (0.15)

0.002 (0.05)

Mechanical data

0.205 (5.20)

0.189 (4.80)

0.060 (1.45)

0.051 (1.15)

-Polarity: Symbol molded on body.

-Case: Molded plastic body over passivated junction.

-Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,

Method 2026.

0.028 (0.70)

0.024 (0.60)

Dimensions in inches and (millimeter)

-Mounting position: Any.

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol

Marking

TB2S-G

TB2S

200

TB4S-G

TB4S

400

TB6S-G

TB6S

600

TB8S-G

TB8S

800

TB10S-G

TB10S

1000

Parameter

Unit

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

140

200

280

400

420

600

560

800

700

1000

Maximum DC Blocking Voltage

0.8¹⁾

1.0²⁾

Maximum Average Forward Output Current

TL=100°C

IF(AV)

IFSM

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single

Half Sine-wave, Superimposed on Rated Load

(JEDEC Method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage

at 0.4A DC

0.95

Maximum Reverse Current @TA=25°C

at Rated DC Blocking Voltage

μA

Typical Thermal Junction to lead

On aluminum substrate

On glass-epoxy substrate

RθJL

RθJA

62.5

°C/W

-55 to +150

°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

TSTG

Notes: 1. On glass epoxy P.C.B

2. On aluminum substrate

REV:A

Page 1

QW-BBR53

Comchip Technology CO., LTD.

12 3 4

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与TB4S-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TB4S-T3-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
TB5.0	CLARE	获取价格	HIGH-ENERGY TRIGGERED SPARK GAPS
TB-50.000MBD-T	ETC	获取价格	OSC MEMS 50.000MHZ CMOS SMD
TB-50.000MBE-T	ETC	获取价格	OSC MEMS 50.000MHZ CMOS SMD
TB-50.000MCD-T	ETC	获取价格	OSC MEMS 50.000MHZ CMOS SMD
TB-50.000MCE-T	ETC	获取价格	OSC MEMS 50.000MHZ CMOS SMD
TB-50.000MDD-T	ETC	获取价格	OSC MEMS 50.000MHZ CMOS SMD
TB-50.000MDE-T	ETC	获取价格	OSC MEMS 50.000MHZ CMOS SMD
TB5005	TAITRON	获取价格	50A Bridge Rectifiers
TB501	TAITRON	获取价格	50A Bridge Rectifiers

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