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T929N36TOF PDF预览

T929N36TOF

更新时间： 2024-11-07 21:07:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
30页 438K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2200A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element

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T929N36TOF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.75
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：250 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2200 A断态重复峰值电压：3600 V
重复峰值反向电压：3600 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

T929N36TOF 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 929 N 30...36  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Vorläufige Daten  
Preliminary Data  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
VDRM , VRRM  
3000  
3400  
3200  
3600  
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
VDSM  
3000  
3400  
3200  
3600  
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
3100  
3500  
3300  
3700  
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMSM on-state current  
ITRSMSM  
ITAVM  
ITSM  
2200  
A
Dauergrenzstrom  
T
T
C = 85 °C  
C = 50 °C  
930  
A
A
average on-state current  
1400,4  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
19500  
17500  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
1900  
1530  
A²s*10³  
A²s*10³  
Kritische Stromsteilheit  
DIN IEC 747-6  
(diT/dt)cr  
80  
A/µs  
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
(dvD/dt)cr  
1000  
V/µs  
critical rate of rise of off-state voltage  
5.Kennbuchstabe / 5th letter F  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max  
,
iT = 3600 A  
iT = 1000 A  
vT  
vT  
max.  
2,70  
1,48  
V
V
Tvj = Tvj max  
,
max.  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
VT(TO)  
1,00  
V
mW  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
rT  
0,43  
Durchlaßkennlinie  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max  
A= 1,165673  
B= 3,49E-04  
C= -0,0722537  
D= 1,45E-02  
vT = A + B ×iT + C ×Ln(iT +1) + D × iT  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
Tvj = 25°C, vD = 6V  
Zündstrom  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
max.  
250  
2,2  
mA  
V
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 6 V  
Nicht zündener Steuerstrom  
gate non-trigger current  
max.  
max.  
10  
5
mA  
mA  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündene Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
max.  
max.  
max.  
0,25  
V
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 W  
Haltestrom  
500  
mA  
mA  
holding current  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10 W  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
tg = 20 µs  
Einraststrom  
IL  
2500  
latching current  
Tvj = Tvj max  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
iD, iR  
max.  
max.  
250  
4,5  
mA  
µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
Tvj = 25°C  
tgd  
gate controlled delay time  
i
GM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
BIP AM / 00-05-15, K.-A.Rüther  
A12/00  
Seite/page 1  
1234567...30

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