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T740N26TOFXPSA1

更新时间： 2024-11-12 21:01:59

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	245K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1650A I(T)RMS, 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element,

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T740N26TOFXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	1650 A	断态重复峰值电压：	2600 V
重复峰值反向电压：	2600 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T740N26TOFXPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T740N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2200 V

2600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T = -40°C... T

V_DRM,V_RRM

V_DSM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2200 V

2600 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

Elektrische _vE_jigen_vs_{j ma}c_xhaften

non-repetitive peak forward off-state voltage

2300 V

2700 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1500 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

745 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

1070 A

1690 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

13000 A

11500 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

845 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

660 10³ A²s

150 A/µs

DIN IEC 60747-6

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,53 V

1,32 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2850 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 650 A

v_T

1,0 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,5 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_T≤ 3600 A

1,245E+00

3,716E-04

-1,040E-01

1,970E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2,2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

100 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2010-09-02

prepared by:

revision:

3.2

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann

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