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T731N43TOH

更新时间： 2024-11-09 15:53:39

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	192K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4300V V(DRM)

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T731N43TOH 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	标称电路换相断开时间：	500 µs
关态电压最小值的临界上升速率：	2000 V/us	最大直流栅极触发电流：	350 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	最大维持电流：	350 mA
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	200 mA
湿度敏感等级：	1	通态非重复峰值电流：	18000 A
最大通态电流：	1280000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	225
断态重复峰值电压：	4300 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
端子面层：	MATTE TIN	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T731N43TOH 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 731N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / M aximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM3800

4200

4000 V

4400 V

Kenndaten

^{repetiti ve peak forward off-state and re}E^versle^{e v}k^oltat^gr^ei^ssche Eigenschaften

Periodische Vorwärts- und Rüc kwärts-Spitzensperrspannung T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM3900

4300

4100 V

4500 V

repetiti ve peak forward off-state and revers e voltages

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maxi mum RMS on-stat e current

I_TRMSM

I_TAVM

2010 A

Dauergrenzstrom

average on-state c urrent

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

930 A

1280 A

Stoßstrom-Grenz wert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

18000 A

16000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

1620 10³ A²s

1280 10³ A²s

Kritische Str omsteilheit

DIN IEC 60747-6

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

300 A/µs

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuc hstabe / 5^thletter H

2000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1200A

T_vj= T_{vj max}

typ.

1,6 V

max.

1,75 V

on-state voltage

Schleus ens pannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

typ.

1 V

max.

1,1 V

Ersatzwi derstand

slope resistanc e

T_vj= T_{vj max}

typ.

0,5 mΩ

max. 0,542 mΩ

Durchlaßkennlinie

T_vj= T_{vj max}

typ.

-0,0955

0,00035

0,1592

0,004219

-0,0926

0,000391

0,1754

on-state c haracteristic

v_T= A + B i_T+ C Ln (i_T+ 1) + D

i_T

max.

0,003759

max.

Zündstr om

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

350 mA

Zünds pannung

gate trigger voltage

max.

2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse c urrent

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

200 mA

2 µs

Zündverzug

gate controlled delaytime

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2005-04-15

prepar ed by:

revision:

approved by: J. Przybilla

BIP AM / SM PB, 2001-12-14, Przybilla J. / Keller

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T731N44TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1
T731N44TOHXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element,
T731N45TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4500V V(DRM)
T732-013.5M	CONNOR-WINFIELD	获取价格	LVCMOS Output Clock Oscillator
T732-052.0M	CONNOR-WINFIELD	获取价格	LVCMOS Output Clock Oscillator
T7322	ETC	获取价格	TRIANGULAR TYPE
T73227	ETC	获取价格	27 MHz VCXO Clock Generator IC
T73227-DIE	ETC	获取价格	27 MHz VCXO Clock Generator IC
T73227-M08	ETC	获取价格	27 MHz VCXO Clock Generator IC
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