5秒后页面跳转
T2709N20TOF PDF预览

T2709N20TOF

更新时间: 2024-01-21 19:46:41
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
5页 212K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,

T2709N20TOF 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:250 mAJESD-30 代码:O-CEDB-X4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:5800 A断态重复峰值电压:2000 V
重复峰值反向电压:2000 V表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

T2709N20TOF 数据手册

 浏览型号T2709N20TOF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T2709N20TOF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T2709N20TOF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T2709N20TOF的Datasheet PDF文件第5页 
European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
Marketing Information  
T 2709 N  
Cathode  
ø75  
ø75  
Anode  
ø3,5+0,1 x 3,5 deep  
on both sides  
plug A  
4,8 x 0,8  
3
plug A  
2,8 x 0,8  
VWK Nov. 1996  

与T2709N20TOF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
T2709N22TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element

获取价格

T2709S BEL Telecom Transformer

获取价格

T2710 NIDEC Gold-plated contact provides excellent reliability

获取价格

T2710N16TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

获取价格

T2710N18TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element

获取价格

T2710N20TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 2710000mA I(T), 2000V V(DRM)

获取价格