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T2710N20TOF

更新时间： 2024-01-13 20:54:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 101K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2710000mA I(T), 2000V V(DRM)

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T2710N20TOF 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：300 mAJESD-30 代码：O-CEDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：5800 A断态重复峰值电压：2000 V
重复峰值反向电压：2000 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：END
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

T2710N20TOF 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
N
T 2710 N 16...22  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Vorläufige Daten  
Preliminary Data  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
VDRM , VRRM  
1600, 1800  
2000, 2200  
V
V
V
A
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
VDSM  
1600, 1800  
2000, 2200  
non-repetitive peak foward off-state voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
1700. 1900  
2100, 2300  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMSM on-state current  
ITRSMSM  
5800  
TC = 85°C  
TC = 61°C  
Dauergrenzstrom  
ITAVM  
2710  
3700  
A
A
average on-state current  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
ITSM  
54000  
50000  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
14580  
12500  
A²s*10³  
A²s*10³  
Kritische Stromsteilheit  
DIN IEC 747-6  
(diT/dt)cr  
200  
A/µs  
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
(dvD/dt)cr  
1000  
V/µs  
critical rate of rise of off-state voltage  
5.Kennbuchstabe / 5th letter F  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iT = 11000 A  
Tvj = Tvj max, iT = 3000 A  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
vT  
max.  
max.  
2,35  
1,30  
V
V
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
VT(TO)  
0,9  
V
mW  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
rT  
0,125  
Durchlaßkennlinie  
A=1,09532  
on-state voltage  
B=8,255E-05  
C=-7,06279E-02  
D=9,53181E-03  
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1 ) + D x Ö iT  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
Tvj = 25°C, vD = 6V  
Zündstrom  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
max.  
300  
2,5  
mA  
V
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 6 V  
Nicht zündener Steuerstrom  
gate non-trigger current  
max.  
max.  
10  
5
mA  
mA  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündene Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
max.  
0,25  
mV  
mA  
mA  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 W  
Haltestrom  
max.  
300  
holding current  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10W  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
tg = 20 µs  
Einraststrom  
IL  
max. 1500  
latching current  
Tvj = Tvj max  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
iD, iR  
max.  
max.  
250  
4
mA  
µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
tgd  
Tvj = 25°C  
gate controlled delay time  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Rüther  
A 113/99  
Seite/page 1  
123456

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与T2710N20TOF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
T2710N22TOF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 2710000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1

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