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T2709N22TOF

更新时间： 2024-11-27 19:44:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	212K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element

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T2709N22TOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-CEDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	5800 A	断态重复峰值电压：	2200 V
重复峰值反向电压：	2200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

T 2709 N

Cathode

ø75

Anode

ø3,5^+0,1x 3,5 deep

on both sides

plug A

4,8 x 0,8

plug A

2,8 x 0,8

VWK Nov. 1996

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T2709S	BEL	获取价格	Telecom Transformer
T2710	NIDEC	获取价格	Gold-plated contact provides excellent reliability
T2710N16TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T2710N18TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
T2710N20TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2710000mA I(T), 2000V V(DRM)
T2710N22TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 5800A I(T)RMS, 2710000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1
T2712S	BEL	获取价格	Telecom Transformer
T271N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS
T271N20EOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 414000mA I(T), 2000V V(DRM)
T271N20EOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 414000mA I(T), 2000V V(DRM)