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T1930N38TOFVT

更新时间： 2024-11-10 15:53:23

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Silicon Controlled Rectifier,

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T1930N38TOFVT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1930N38TOFVT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1930N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_Pere_ion_din_scd_ha_et_Ve_on_{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

3200

3400

3600 V

3800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

_{Vorwärts-Stossspitzensperrspannung}Elektrische Eigenschaften

3200

3400

3600 V

3800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

3300

3500

3700 V

3900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

4200 A

2180 A

3140 A

4920 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

I_TRMSM

I_TAVM

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

40000 A

37000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

8000 10³ A²s

6850 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,90 V

1,60 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

v_T

1,08 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,20 mΩ

1000 A ≤ i_T≤ 11000 A

2,085E+00

7,262E-05

-2,440E-01

2,706E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

max.

3 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

0,25 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

300 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6 A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-03-06

prepared by:

revision:

1.3

approved by: J.Przybilla

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IFBIP D AEC / 2008-03-04, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T19-36	ETC	获取价格	T 19-36
T19-3C11	FERROXCUBE	获取价格	Ferrite toroids
T195A127K010AS	KEMET	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 120uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
T195A127M010AS	KEMET	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 120uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
T195A226M075AS	KEMET	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 75V, 22uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
T195A227K006AS	KEMET	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 6V, 220uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
T195A227M006AS	KEMET	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 6V, 220uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
T195A256K008ASC-0100	KEMET	获取价格	Wet Tantalum General Information
T195A256K008ASC-0200	KEMET	获取价格	Wet Tantalum General Information
T195A256M008ASC-0100	KEMET	获取价格	Wet Tantalum General Information

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