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T1375DF65E

更新时间： 2024-11-11 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	748K
描述
作为压装IGBT技术的开创者，我们能够提供多种一流的器件，额定电压分别为1.7kV（900V直流链）、2.5kV（1.25kV直流链）、3.3kV（1.8kV直流链）、4.5kV（2.8kV直流链

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T1375DF65E 数据手册

Date:- 10 Oct, 2022

Data Sheet Issue:- A1

Advance Data

Insulated Gate Bi-Polar Transistor

Type T1375DF65E

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_CES

Collector – emitter voltage

6500

3600

±20

V_{DC link}

V_GES

Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.

Peak gate – emitter voltage

MAXIMUM

LIMITS

RATINGS

UNITS

I_C

Continuous DC collector current, IGBT

Repetitive peak collector current, t_p=1ms, IGBT

Maximum reverse emitter current, t_p=100µs, (note 2 & 3)

Maximum power dissipation, IGBT (note 2)

Operating temperature range

1375

I_CRM

I_ECO

P_MAX

T_{j op}

T_stg

2750

1375

16.1

°C

-40 to +125

Storage temperature range

Notes: -

1) Unless otherwise indicated T_j= 125ºC.

2) T_sink= 25°C, double side cooled.

3) Maximum commutation loop inductance 200nH.

Data Sheet T1375DF65E Issue A1

Page 1 of 7

October, 2022

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