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T1201N60TOH

更新时间： 2025-08-29 15:53:23

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	273K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2600A I(T)RMS, 1200000mA I(T), 6000V V(DRM), 6000V V(RRM), 1 Element,

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T1201N60TOH 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
标称电路换相断开时间：	600 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	2000 V/us
最大直流栅极触发电流：	350 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	350 mA	最大漏电流：	200 mA
通态非重复峰值电流：	35000 A	最大通态电压：	2.7 V
最大通态电流：	1200000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	6000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1201N60TOH 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1201N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

6000

7000

6500 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Vt^oe^rwn^{ärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^eische Eigenschaften

2600 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

1230 A

1660 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

I_TAVM

35000 A

34000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

6120 10³ A²s

5780 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

2000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter H

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

typ.

max.

2,55 V

2,7 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2000A

v_T

typ.

max.

1,12 V

1,18 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

typ. 0,714 mΩ

max. 0,759 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

typ.

0,00017

0,000408

0,159

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200A ≤ i_F≤ 2500A

T_vj= T_{vj max}

0,0117

max.

0,00016

0,000509

0,184

v_T= A + B ⋅ i_T+ C ⋅ Ln(i_T+ 1) + D ⋅ i_T

0,00634

350

2,5

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

400 mA

2 µs

Zündverzug

DIN IEC 60747-6

t_gd

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2006-05-04

revision:

prepared by:

approved by: J. Przybilla

BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1201N65TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2600A I(T)RMS, 1200000mA I(T), 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1
T1201N70TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2600A I(T)RMS, 1200000mA I(T), 7000V V(DRM), 7000V V(RRM), 1
T1201N70TOHHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2600A I(T)RMS, 7000V V(DRM), 7000V V(RRM), 1 Element
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