Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1201N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
6000
7000
6500 V
V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
PerKiodeisncnhedaVtoerwnärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reEverlsee vkolttagreische Eigenschaften
2600 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
1230 A
1660 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM
35000 A
34000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
6120 10³ A²s
5780 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
300 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
2000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
typ.
max.
2,55 V
2,7 V
Tvj = Tvj max , iT = 2000A
vT
typ.
max.
1,12 V
1,18 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ. 0,714 mΩ
max. 0,759 mΩ
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
0,00017
0,000408
0,159
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A ≤ iF ≤ 2500A
Tvj = Tvj max
0,0117
max.
0,00016
0,000509
0,184
vT = A + B ⋅ iT + C ⋅ Ln(iT + 1) + D ⋅ iT
0,00634
350
2,5
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
mA
V
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
400 mA
2 µs
Zündverzug
DIN IEC 60747-6
tgd
gate controlled delay time
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
C. Schneider
date of publication: 2006-05-04
revision:
prepared by:
5
approved by: J. Przybilla
BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller
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