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T10M20F3

更新时间: 2024-02-27 06:37:29
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 130K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 230V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3VAR

T10M20F3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):10 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):100 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):20 MHz
Base Number Matches:1

T10M20F3 数据手册

  

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