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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.91 |
| 标称电路换相断开时间： | 50 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 400 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 20 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2 V |
| 最大维持电流： | 60 mA | JESD-609代码： | e0 |
| 最大漏电流： | 2 mA | 通态非重复峰值电流： | 120 A |
| 最大通态电压： | 2.4 V | 最大通态电流： | 12000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| T10N100HOF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 12700mA I(T), 100V V(DRM), |
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| T10N100UOB | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 12700mA I(T), 100V V(DRM), |
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| T10N100UOC | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 12700mA I(T), 100V V(DRM), |
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| T10N100UOF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 12700mA I(T), 100V V(DRM), |
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| T10N2 | EDAL | T10A1 |
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| T10N200COB | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 12700mA I(T), 200V V(DRM), |
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