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T1040N

更新时间： 2024-11-07 08:28:39

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英飞凌 - INFINEON		可控硅
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

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T1040N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1040N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000 V

2200 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

V_DSM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

2000 V

2200 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2200 A

1040 A

1500 A

2360 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

21500 A

18500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

2311 10³ A²s

1711 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,53 V

1,21 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

0,9 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,3 mΩ

300 A ≤ i_T≤ 5200 A

8,835E-01

2,975E-04

-6,711E-03

2,292E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

160 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-04

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

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T1042NSE7MQB	NXP	获取价格	QorIQ, 4x e5500, 1200MHz, DDR3L/4, W/ Crypto, No Switch, 0 to 105
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T1042NSE7PQB	NXP	获取价格	QorIQ, 4x e5500, 1400MHz, DDR3L/4, W/ Crypto, No Switch, 0 to 105
T1042NSE7PQPB	NXP	获取价格	QorIQ, 4x e5500, 1400MHz, DDR3L/4, W/ Crypto, No Switch, 0 to 105, Printer-Market
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